X射线发生器和机柜：

(1) 管压 60kV，1mV/步, 机柜同步数字显示
(2) 管流 60mA，1mA/步,机柜同步数字显示
(3) 2θ转动范围：－111°~168°；可读最小步长：≤0.0001°，角度重现性：0.0001。
(4) 2θ测量精度：2θ±0.01度（标准样品硅粉测定）
(10) 最小可控步长： 0.0001 度，可以停止在任何规定角度，
二维半导体阵列探测器：
(1) 子探测器个数：≥65000，支持固定模式扫描以及原位分析。
(2) 计数矩阵：256x256 pixcel，
(3) 像素大小：55?mx55?m，
多轴欧拉样品台(Chi－Phi－X－Y－Z)
(1) 面内扫描（In－plane附件）模块：可以进行薄膜面内扫描测量。
(2) 高分辨模块：进行半导体外延分析包括欧拉样品台，高强度高分辨K?1单色器，可以进行Rocking Curve和倒易空间Mapping，包括：
1、高分辨、高强度衍射单色器系统：单色器发散度小于12秒。
2、Ge220 四晶单色器，
3 、高精度五轴欧拉样品台。
4 、倒易空间Mapping:摇摆曲线光路。
5 、外延分析软件。